半导体发展史上的 6 个国人(4)

导读: 使得晶体管的闸极由上而下分别为金属层、氧化层、金属浮栅层、一层较薄的氧化层,以及最下面的半导体,而中间的金属层因为上、下都是绝缘的氧化层

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使得晶体管的闸极由上而下分别为金属层、氧化层、金属浮栅层、一层较薄的氧化层,以及最下面的半导体,而中间的金属层因为上、下都是绝缘的氧化层,在施加电压时,可以将电子吸进去保存,改变电路的导通性,而这层金属的上、下都是绝缘体,如果不再度施加反向电压的话,电荷会一直保存在里面,断电后资料也不会消失。

然而,在 1967 年提出该技术时,在业界没有掀起太大涟漪,但好技术终究不寂寞,30 年后在闪存应用的带动下,终究大放异彩,施敏发明的非挥发性存储技术的重要性也不断被提及重视,成为现今 NAND Flash(闪存)的基础核心。

三、卓以和:分子束外延技术(MBE)

卓以和(Alfred Y. Cho),1937 年出生于北京;1949 年赴香港就读于培正中学;1955 年赴美国就读于伊利诺斯大学,1960 年获理学学士,1961 年获得硕士学位,1968 年获伊利诺伊大学博士学位;1985 年获选为美国科学院院士;1993 年获颁美国科学家最高荣誉的国家科学奖章;1994 年获得 IEEE 荣誉勋章,表彰其为分子束外延的发展做出的开创性贡献;1996 年 6 月 7 日当选为中国科学院外籍院士;2007 年 7 月 27 日再度获得美国国家科学奖章并获得国家技术奖章;2009 年 2 月 11 日,入选美国专利商标局(USPTO)“全国发明家名人堂”的名单。

2013 年,第 12 届美国亚裔工程师年度颁奖大会,卓以和荣获“杰出科技成就奖”。卓以和在获奖感言中表示,“获得成功的重要一条是:你要把握住自己"喜爱自己的工作"有追求、有目的"以及付出更多的辛勤汗水。”

1961 年,卓以和加入高压工程公司(High Voltage Engineering Corporation)的子公司离子物理公司(Ion Physics Corporation),他研究了在强电场中带电的微米级固体颗粒;1962 年,他加入加利福尼亚州雷东多海滩的 TRW 空间技术实验室,从事高电流密度离子束的研究;1965 年,他回到伊利诺伊大学攻读博士学位,并于 1968 年加入贝尔实验室,

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