半导体发展史上的 6 个国人(4)

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使得晶体管的闸极由上而下分别为金属层、氧化层、金属浮栅层、一层较薄的氧化层，以及最下面的半导体，而中间的金属层因为上、下都是绝缘的氧化层，在施加电压时，可以将电子吸进去保存，改变电路的导通性，而这层金属的上、下都是绝缘体，如果不再度施加反向电压的话，电荷会一直保存在里面，断电后资料也不会消失。

然而，在 1967 年提出该技术时，在业界没有掀起太大涟漪，但好技术终究不寂寞，30 年后在闪存应用的带动下，终究大放异彩，施敏发明的非挥发性存储技术的重要性也不断被提及重视，成为现今 NAND Flash（闪存）的基础核心。

三、卓以和：分子束外延技术（MBE）

卓以和（Alfred Y. Cho），1937 年出生于北京；1949 年赴香港就读于培正中学；1955 年赴美国就读于伊利诺斯大学，1960 年获理学学士，1961 年获得硕士学位，1968 年获伊利诺伊大学博士学位；1985 年获选为美国科学院院士；1993 年获颁美国科学家最高荣誉的国家科学奖章；1994 年获得 IEEE 荣誉勋章，表彰其为分子束外延的发展做出的开创性贡献；1996 年 6 月 7 日当选为中国科学院外籍院士；2007 年 7 月 27 日再度获得美国国家科学奖章并获得国家技术奖章；2009 年 2 月 11 日，入选美国专利商标局（USPTO）“全国发明家名人堂”的名单。

2013 年，第 12 届美国亚裔工程师年度颁奖大会，卓以和荣获“杰出科技成就奖”。卓以和在获奖感言中表示，“获得成功的重要一条是:你要把握住自己"喜爱自己的工作"有追求、有目的"以及付出更多的辛勤汗水。”

1961 年，卓以和加入高压工程公司（High Voltage Engineering Corporation）的子公司离子物理公司（Ion Physics Corporation），他研究了在强电场中带电的微米级固体颗粒；1962 年，他加入加利福尼亚州雷东多海滩的 TRW 空间技术实验室，从事高电流密度离子束的研究；1965 年，他回到伊利诺伊大学攻读博士学位，并于 1968 年加入贝尔实验室，