半导体发展史上的 6 个国人(2)

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1962 年，从盐湖城犹他大学博士毕业的 Frank M. Wanlass 加入仙童半导体，安排在由萨支唐领导的固态物理组。缘于博士期间在 RCA 工作的缘故，Wanlass 对 FET 场效应晶体管非常感兴趣。

1963 年的固态电路大会上，Wanlass 提交了一份与萨支唐合写的关于 CMOS 的构想论文，同时还用了一些实验数据对 CMOS 技术进行了大概的解释，关于 CMOS 的主要特征也基本确定：静态电源功率密度低；工作电源功率密度高，能够形成高密度的场效应真空三极管逻辑电路。换句话说，CMOS 是 NMOS 和 PMOS 的有机组合，构成逻辑器件。其特点是该器件在逻辑状态转换时才会产生大电流，面在稳定状态时只有极小的电流通过。

萨支唐和 Wanlass 当初提出的 CMOS，只是指一种技术、一种工艺，而不是具体的某一种产品，这一制造工艺的最大特点就是低功耗，利用 CMOS 工艺可以制造出多种产品。除了功耗低，CMOS 还具有速度快、抗干扰能力强、集成密度高、封装成本逐渐降低等优点。

1966 年，美国 RCA 公司研制出 CMOS 集成电路，并研制出第一块门阵列（50 门）；1974 年，RCA 公司推出第一个 CMOS 微处理器 1802；1981 年，64K CMOS SRAM 问世，之后，人们利用 CMOS 工艺制造出越来越多的产品。

CMOS 技术的提出与发展，解决了功耗的难题，得以推动集成电路按照摩尔定律不断向前发展。

二、施敏：NVSM 技术

施敏（Simon Sze），1936 年 3 月 21 日出生于江苏省南京市。微电子、半导体器件专家，1994 年当选为台湾中央研究院士，1995 年当选美国工程院院士，1998 年 6 月当选为中国工程院外籍院士。1991 年获得 IEEE 电子器件最高荣誉奖（J.J. Ebers 奖）；2017 年与 Gordon E Moore（摩尔定律之父）共同获得 IEEE Celebrated Member（尊荣会员）称号；三获“诺贝尔物理学奖”提名。