中国科学院院士陈星弼去世陈星弼院士资料介绍

2019-12-05
小编: 敏琪
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导读: 据媒体报道称，国际著名半导体器件物理学家、微电子学家，中国科学院院士，IEEE Life Fellow，九三学社社员，电子科技大学教授陈星弼先生，因病医治无效，于2019年12月4日17时10分在成

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　　据媒体报道称，国际著名半导体器件物理学家、微电子学家，中国科学院院士，IEEE Life Fellow，九三学社社员，电子科技大学教授陈星弼先生，因病医治无效，于2019年12月4日17时10分在成都逝世，享年89岁。

　　陈星弼院士是我国功率半导体领域的领路人和集大成者。他是国际上首个提出超结耐压层理论的科学家，他的超结发明专利打破传统“硅极限”，被国际学术界誉为"高压功率器件新的里程碑"。

（中国科学院院士陈星弼去世陈星弼院士资料介绍）

　　陈星弼院士资料介绍

　　陈星弼院士1931年出生于上海，半导体器件及微电子学专家，中国科学院院士，电子科技大学教授、博士生导师。陈星弼从事半导体电力电子器件的理论与结构创新方面的研究，被誉为“中国功率器件领路人”。

　　陈星弼1952年毕业于同济大学，后在厦门大学、南京工学院及中国科学院物理研究所工作。1956年开始在成都电讯工程学院工作。1980年美国俄亥俄州大学作访问学者。1981年加州大学伯克莱分校作访问学者、研究工程师。1983年任电子科技大学微电子科学与工程系系主任、微电子研究所所长。1999年当选为中国科学院院士。2001年加入九三学社。

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